专利名称：一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法专利类型：发明专利
发明人：吴艳霞,于盛旺,刘颖,刘云琳,高洁,黑鸿君,周兵,马永申请号：CN202010610464.X申请日：20200630公开号：CN111826610A公开日：20201027
摘要：本发明公开了一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法。在真空腔体中使用Ni、Fe、Co其中一种磁性金属作为基台，在基台处设置电磁铁，在加偏压的情况下，基台处形成了由闭合磁场约束的等离子氛围，基底置于基台上，基台元素被反溅射到基底上，依次通过反溅射基台、溅射碳靶材或者离化含碳气体，在基底上沉积磁性金属/非晶碳多层薄膜，然后使用热处理炉，通过控制退火温度和退火时间，最终得到不同层数和不同结晶度的石墨烯。使用该方法制备的石墨烯层数可控、质量高、均匀性好，同时操作简便、成本低廉。
申请人：太原理工大学
地址：030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号
国籍：CN
代理机构：太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人：申艳玲
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