专利名称：用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀专利类型：发明专利发明人：俞昌
申请号：CN200410066515.8申请日：20040915公开号：CN1749814A公开日：20060322
摘要：一种制造LCOS器件的方法。包括提供一个具有表面区域的衬底，形成一个覆盖在表面区域上的中间电介质层，图案化中间电介质层以形成复数个凹陷区域，每个凹陷区域对应于LCOS器件的一个像素，在每个凹陷区域中沉积铝材料或铝合金材料，形成覆盖在铝材料上的光掩模，图案化光掩模以暴露出对应于凹陷区域的区域并保护对应于凹陷区域的边界区域的区域，去除铝材料的暴露区域直到铝材料已被去除至边界区域的上部区域附近，然后剥离图案化的光掩模以暴露出围绕图案化的凸出的铝材料。所述方法在使用边界区域作为刻蚀停止层的同时，微接触抛光凸出的铝材料和图案化的铝材料的多个部分，以平坦化图案化的铝材料和边界区域形成的上部表面区域。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：陈红
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容